[디지털데일리] 스태킹으로 日 꺾은 삼성전자, 세계 최초 '3D D램' 개발 도전
페이지 정보
작성자 admin 작성일22-01-18 조회4,606회 댓글0건관련링크
본문
스태킹으로 日 꺾은 삼성전자, 세계 최초 '3D D램' 개발 도전
삼성전자가 또 다른 ‘스태킹(적층)’ 공정으로 메모리 초격차에 나선다.
낸드플래시에 이어 D램도 쌓는 방식으로 성능을 개선하겠다는 구상이다.
고난도 기술인 만큼 선제 대응을 통해 세계 최초 상용화를 추진할 방침이다.
17일 업계에 따르면...
댓글목록
등록된 댓글이 없습니다.
