삼성 갤럭시S8, 8GB램·초고속 UFS 2.1 스토리지 탑재 가능성

입력: 2016/12/27 16:45:15

삼성전자 차세대 플래그십 스마트폰 갤럭시S8 시리즈에 8GB 램과 초고속 유니버설 플래시 스토리지(UFS) 2.1이 탑재될 것이라는 루머가 중국 소셜 미디어 웨이보를 통해 전해졌다.

웨이보에서 활동하는 아이빙우주(i氷宇宙)가 입수한 정보에 따르면 갤럭시S8 시리즈에는 삼성전자가 10나노 공정으로 제조하는 8GB 램이 탑재되고, UFS 2.1 스토리지가 탑재된다.

삼성전자가 10나노 공정으로 생산하는 8GB LPDDR4 모바일 D램은 고성능 울트라슬림 노트북에 탑재되는 8GB DDR4와 용량이 동일하다.

또한, 차세대 초고속 메모리로 주목받고 있는 UFS는 JEDEC의 최신 내장 메모리 규격으로 UFS2.1은 기존 eMMC(embedded Multi Media Card) 5.1보다 세 배 이상 빠른 읽기속도를 제공하는 것이 특징이다.(중략)

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