[머니포커S] 삼성 vs 인텔, 메모리전쟁 3라운드

입력: 2016.12.06 06:01

메모리반도체 1위 삼성전자와 비메모리반도체 1위 인텔이 반도체시장의 패권을 놓고 한바탕 전면전을 치를 분위기다. 인텔이 지난해 ‘3D 크로스포인트 메모리’라는 신기술로 30여년 만에 메모리시장 재도전을 선언했고 삼성전자는 독보적인 3D 낸드플래시 양산능력으로 메모리시장 수성을 확고히 하면서 모바일AP 등 비메모리반도체시장 공략을 강화한다는 대응전략을 내놨다. 반도체 최강자 인텔의 전례없는 공세 앞에서 삼성전자는 ‘실적 효자’ 반도체사업을 흔들림없이 유지할 수 있을까. 

반도체 시장조사기관 IC인사이트가 지난달 15일 밝힌 2016년 4분기 기준 매출 상위 20대기업 순위를 살펴보면 인텔이 563억1300만달러로 확고한 1위고, 2위는 435억3500만달러의 삼성전자다. 3위는 TSMC로 상위 두 기업보다 많이 처지는 293억2400만달러의 매출을 기록했으며, 퀄컴과 브로드컴이 150억달러대 매출로 4·5위다. 6위는 전년도에 4위를 기록했던 SK하이닉스다.

단순히 순위만 놓고 보면 20년 넘게 반도체시장의 1·2위를 독점해온 인텔과 삼성전자의 시장 나눠먹기가 올해도 변함없이 재연된 것처럼 보인다. 하지만 자세히 보면 상황이 심상치 않다. 차세대 메모리 패권을 노리는 인텔의 신무기가 가시화됐고 삼성전자는 응전을 준비 중이다.

그간 인텔은 ‘x86 시리즈’로 잘 알려진 CPU 제품군을 중심으로 수익률이 높은 비메모리반도체시장을 주도하면서 주기적으로 메모리시장 진입을 시도했다. 대표적인 사례가 2000년대 초반의 RDRAM이다. 미국의 반도체설계기업 램버스(Rambus)와 함께 만든 차세대 메모리 RDRAM은 한때 우월한 성능으로 D램시장을 제패하는가 싶었지만 주요 반도체·PC기업들이 모인 국제 반도체공학 표준협의기구(JEDEC)가 DDR메모리를 표준으로 밀면서 쓴맛을 봤다. 

이후 플래시메모리 표준경쟁에서도 비슷한 양상이 재연됐다. 삼성전자와 하이닉스, 도시바 등은 낸드(NAND)타입을 표준으로 추진했고 인텔, AMD, IBM 등은 노어(NOR)타입을 내세웠다. 대용량에 저가격을 구현한 낸드플래시가 시장의 승자가 됐고 노어플래시는 생산이 중단됐다. 오늘날 SSD를 비롯해 스마트폰·태블릿 등 모바일기기의 필수저장장치로 자리잡은 낸드플래시시장에서 삼성전자는 36.3%의 시장점유율로 2위 도시바(20.1%)에 크게 앞선 독보적 1위를 구가하고 있다(올 2분기 기준, D램익스체인지 조사).

◆인텔의 권토중래 ‘3D 크로스포인트 메모리’

메모리전쟁에서 연거푸 패배한 인텔은 와신상담 끝에 회심의 일격을 준비했다. 지난해 7월 인텔과 마이크론이 합작해 공개한 ‘3D 크로스포인트(XPoint) 메모리’ 기술이 그 주인공이다. 

3D 크로스포인트 메모리는 현재 메모리시장의 양대 주력제품인 D램과 낸드플래시의 장점만 결합한 차세대 메모리다. D램은 전원이 공급될 때만 데이터가 유지되는 휘발성메모리로 빠른 속도가 강점이지만 대용량 구현이 어려운 한계가 있다. 낸드플래시는 전원이 공급되지 않는 상태에서도 데이터가 유지되는 비휘발성메모리로 대용량이 용이하지만 읽고 쓰는 속도가 D램에 비해 느리다. 3D 크로스포인트메모리는 D램보다 10배 높은 집적도를 가져 대용량 구현이 가능하고 낸드플래시보다 소자의 반응속도가 1000배 빠르며 내구성도 1000배 뛰어나다.(중략)

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